存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括一衬底以及一在衬底上的存储器阵列。存储器阵列包括多个存储单元，这些存储单元包括多个在一封装材料层中的受应力的相变材料。存储单元可包括存储单元结构，例如蕈状(mushroom-type)存储单元结构、桥型(bridge-type)存储单元结构、通孔中主动型(active-in-via)存储单元结构以及孔型(pore-type)存储单元结构。受应力的相变材料可包括一般的锗锑碲合成(GST，Ge_xSb_xTe_x)材料与特别的Ge₂Sb₂Te₅。为了制造存储器装置，首先制造一衬底。包括在一封装材料层中的相变材料的存储单元被形成于衬底的一正面上。一拉伸(tensile)的或压缩(compressive)应力被诱发形成在衬底的正面上的相变材料中。

主权项

一种存储器装置的制造方法，包括：提供一衬底；于该衬底的一正面上形成多个存储单元，每个存储单元包括一个相变材料，这些相变材料位于一封装材料层中；以及使应力诱发形成在这些相变材料中，使这些相变材料成为受应力的相变材料；其中，在形成这些存储单元之前，沉积一应力层在该衬底的一背面上，使该衬底产生一应力，以及在形成这些存储单元之后或之前，移除该应力层。