发明名称 |
晶圆级封装方法以及晶圆 |
摘要 |
本发明提供了一种晶圆级封装方法以及晶圆。所述方法包括如下步骤:提供一叠层晶圆,所述叠层晶圆包括衬底晶圆和密封帽层晶圆,以及夹在衬底晶圆和密封帽层晶圆之间的结构层,所述结构层通过粘结层粘附至衬底晶圆,所述衬底晶圆在朝向结构层的表面上设置有至少一焊盘,所述焊盘与所述结构层之间具有一间隙;研磨减薄密封帽层晶圆至一目标厚度;在密封帽层晶圆和结构层内形成窗口,所述窗口的位置对应于所述焊盘,从而将所述焊盘暴露出来。本发明的优点在于,可在晶圆级实现对器件的测试,并且后续切割不会残留粉末在焊盘的表面。 |
申请公布号 |
CN103466541B |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201310413714.0 |
申请日期 |
2013.09.12 |
申请人 |
上海矽睿科技有限公司 |
发明人 |
王宇翔;焦继伟 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
孙佳胤 |
主权项 |
一种晶圆级封装方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一叠层晶圆,所述叠层晶圆包括衬底晶圆和密封帽层晶圆,以及夹在衬底晶圆和密封帽层晶圆之间的结构层,所述结构层通过粘结层粘附至衬底晶圆,所述衬底晶圆在朝向结构层的表面上设置有至少一焊盘,所述焊盘与所述结构层之间具有一间隙;研磨减薄密封帽层晶圆至一目标厚度;在密封帽层晶圆和结构层内形成窗口,所述窗口的位置对应于所述焊盘,从而将所述焊盘暴露出来; 所述在密封帽层晶圆和结构层内形成窗口的步骤中,进一步是利用双面对准光刻机确定窗口的形成位置,光刻所采用的对准标记与焊盘同层,并与焊盘在同一步骤中形成。 |
地址 |
201815 上海市嘉定区兴贤路1368号3幢3157室 |