发明名称 晶圆级封装方法以及晶圆
摘要 本发明提供了一种晶圆级封装方法以及晶圆。所述方法包括如下步骤:提供一叠层晶圆,所述叠层晶圆包括衬底晶圆和密封帽层晶圆,以及夹在衬底晶圆和密封帽层晶圆之间的结构层,所述结构层通过粘结层粘附至衬底晶圆,所述衬底晶圆在朝向结构层的表面上设置有至少一焊盘,所述焊盘与所述结构层之间具有一间隙;研磨减薄密封帽层晶圆至一目标厚度;在密封帽层晶圆和结构层内形成窗口,所述窗口的位置对应于所述焊盘,从而将所述焊盘暴露出来。本发明的优点在于,可在晶圆级实现对器件的测试,并且后续切割不会残留粉末在焊盘的表面。
申请公布号 CN103466541B 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201310413714.0 申请日期 2013.09.12
申请人 上海矽睿科技有限公司 发明人 王宇翔;焦继伟
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 孙佳胤
主权项  一种晶圆级封装方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一叠层晶圆,所述叠层晶圆包括衬底晶圆和密封帽层晶圆,以及夹在衬底晶圆和密封帽层晶圆之间的结构层,所述结构层通过粘结层粘附至衬底晶圆,所述衬底晶圆在朝向结构层的表面上设置有至少一焊盘,所述焊盘与所述结构层之间具有一间隙;研磨减薄密封帽层晶圆至一目标厚度;在密封帽层晶圆和结构层内形成窗口,所述窗口的位置对应于所述焊盘,从而将所述焊盘暴露出来; 所述在密封帽层晶圆和结构层内形成窗口的步骤中,进一步是利用双面对准光刻机确定窗口的形成位置,光刻所采用的对准标记与焊盘同层,并与焊盘在同一步骤中形成。
地址 201815 上海市嘉定区兴贤路1368号3幢3157室