发明名称 |
一种半导体直流变压器 |
摘要 |
本发明提供一种半导体直流变压器,包括:衬底层;形成在衬底层之上的多个串联的半导体电光转换结构,用于将输入电能转换为光能;和形成在衬底层之上的多个串联的半导体光电转换结构,用于将光能转换为输出电能,其中,半导体光电转换结构的数目与半导体电光转换结构的数目不同以实现直流变压,且半导体电光转换结构与半导体光电转换结构的工作光线匹配。根据本发明实施例的半导体直流变压器具有耐高压,无电磁辐射,无线圈结构,安全可靠等优点。 |
申请公布号 |
CN102569488B |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201210019314.7 |
申请日期 |
2012.01.20 |
申请人 |
郭磊 |
发明人 |
郭磊 |
分类号 |
H01L31/173(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/173(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种半导体直流变压器,其特征在于,包括:衬底层;形成在所述衬底层之上的多个串联的半导体电光转换结构,用于将输入电能转换为光能;和形成在所述衬底层之上的多个串联的半导体光电转换结构,用于将所述光能转换为输出电能,其中,所述半导体光电转换结构的数目与所述半导体电光转换结构的数目不同以实现直流变压,所述多个半导体光电转换结构具有光电转换层,所述多个半导体电光转换结构具有电光转换层,所述电光转换层发出的工作光线的波段与所述光电转换层吸收效率最高的波段相匹配。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学电子系伟清楼807 |