半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开了具有改进的性能的半导体器件。在半导体器件中，在半导体基板的主表面之上形成绝缘膜部分以覆盖光电二极管，在与光电二极管的中心重叠的部分中的绝缘膜部分的上表面中形成凹形部分，并且在绝缘膜部分之上形成透射膜以闭合凹形部分。通过凹形部分和透射膜形成空间，并且该空间被布置为在平面图中与光电二极管的中心重叠。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体基板；光电转换元件，在半导体基板的第一主表面中形成，并且接收入射光以转换成电荷；绝缘膜部分，在半导体基板的第一主表面之上形成以覆盖光电转换元件；凹形部分，在平面图中与光电转换元件的中心重叠的部分中的绝缘膜部分的上表面中形成；以及透射膜部分，在绝缘膜部分之上形成以闭合凹形部分并且使入射光透射，其中，通过凹形部分和透射膜部分形成空间，以及其中，所述空间被布置为在平面图中与光电转换元件的中心重叠。