| 摘要 |
1. Инфракрасный источник (80) излучения, содержащий:подложку (90), имеющую первую поверхность (92) и вторую поверхность (108), противоположную первой поверхности, причем подложка является, по существу, плоской;нагревательный элемент (102), расположенный на участке первой поверхности подложки, выполненный с возможностью испускания инфракрасного электромагнитного излучения в ответ на электрический ток, подаваемый в него;рассеивающий слой (93), расположенный на первой поверхности подложки, имеющий толщину меньше, чем приблизительно 40 нм, покрывающий, по меньшей мере, приблизительно 70% первой поверхности, и сформированный из материала, имеющего теплопроводность, по меньшей мере, 110 Вт/м°C.2. Источник излучения по п. 1, в котором подложка имеет теплопроводность меньше, чем приблизительно 5 Вт/м°C.3. Источник излучения по п. 1, дополнительно содержащий пару выводов (94, 96), размещенных на подложке, выполненных с возможностью подключения нагревательного элемента к источнику питания, с тем, чтобы способствовать подводу электрического тока к нагревательному элементу, причем пара выводов расположена на стороне рассеивающего слоя, противоположной первой поверхности подложки.4. Источник излучения по п. 1, дополнительно содержащий пару выводов (94, 96), расположенных на подложке, выполненных с возможностью соединения нагревательного элемента с источником питания, с тем, чтобы способствовать подводу электрического токав нагревательный элемент, причем пара выводов формирует рассеивающий слой.5. Источник излучения по п. 1, дополнительно содержащий защитный слой (110), расположенный на второй поверхности подложки, защитный слой сформирован из � |
