发明名称 一种有序垂直孔道双通膜的制备方法及其产品
摘要 本发明公开了一种有序垂直孔道双通膜的制备方法及其产品,制备方法包括:在基底I上制备具有垂直孔道的介孔SiO<sub>2</sub>膜;将PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)溶液旋涂在该介孔SiO<sub>2</sub>膜上,干燥,得到负载于所述基底I上的PMMA/介孔SiO<sub>2</sub>膜,放入刻蚀液刻蚀;洗涤,转移至基底II,干燥,在浸泡液中浸泡,即得有序垂直孔道双通膜。本发明制备的有序垂直孔道双通膜利用PMMA将介孔SiO<sub>2</sub>薄膜从实心的基底转移至多孔的基底,不仅使介孔SiO<sub>2</sub>薄膜得到支撑,还保持介孔SiO<sub>2</sub>薄膜的两端通畅,可以实现精确的分子分离。
申请公布号 CN105271109A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201510579762.6 申请日期 2015.09.14
申请人 浙江大学 发明人 苏彬;林星宇;杨倩
分类号 B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 胡红娟
主权项 一种有序垂直孔道双通膜的制备方法,包括:(1)在基底I上制备具有垂直孔道的介孔SiO<sub>2</sub>膜;(2)将PMMA溶液旋涂在该介孔SiO<sub>2</sub>膜上,干燥,得到负载于所述基底I上的PMMA/介孔SiO<sub>2</sub>膜;(3)将负载于所述基底I上的PMMA/介孔SiO<sub>2</sub>膜放入刻蚀液刻蚀;(4)将PMMA/介孔SiO<sub>2</sub>膜从刻蚀液中取出,洗涤,转移至基底II,干燥,在浸泡液中浸泡,即得有序垂直孔道双通膜。
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