发明名称 |
一种有序垂直孔道双通膜的制备方法及其产品 |
摘要 |
本发明公开了一种有序垂直孔道双通膜的制备方法及其产品,制备方法包括:在基底I上制备具有垂直孔道的介孔SiO<sub>2</sub>膜;将PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)溶液旋涂在该介孔SiO<sub>2</sub>膜上,干燥,得到负载于所述基底I上的PMMA/介孔SiO<sub>2</sub>膜,放入刻蚀液刻蚀;洗涤,转移至基底II,干燥,在浸泡液中浸泡,即得有序垂直孔道双通膜。本发明制备的有序垂直孔道双通膜利用PMMA将介孔SiO<sub>2</sub>薄膜从实心的基底转移至多孔的基底,不仅使介孔SiO<sub>2</sub>薄膜得到支撑,还保持介孔SiO<sub>2</sub>薄膜的两端通畅,可以实现精确的分子分离。 |
申请公布号 |
CN105271109A |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201510579762.6 |
申请日期 |
2015.09.14 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
苏彬;林星宇;杨倩 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人 |
胡红娟 |
主权项 |
一种有序垂直孔道双通膜的制备方法,包括:(1)在基底I上制备具有垂直孔道的介孔SiO<sub>2</sub>膜;(2)将PMMA溶液旋涂在该介孔SiO<sub>2</sub>膜上,干燥,得到负载于所述基底I上的PMMA/介孔SiO<sub>2</sub>膜;(3)将负载于所述基底I上的PMMA/介孔SiO<sub>2</sub>膜放入刻蚀液刻蚀;(4)将PMMA/介孔SiO<sub>2</sub>膜从刻蚀液中取出,洗涤,转移至基底II,干燥,在浸泡液中浸泡,即得有序垂直孔道双通膜。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |