| 发明名称 | 用于MOSFET器件的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，该结构包括：一个或多个鳍，形成在衬底上，并沿第一方向延伸；一个或多个栅极，形成在一个或多个鳍上，并沿第二方向延伸，第二方向基本垂直于第一方向，一个或多个栅极包括第一隔离栅极和至少一个功能栅极；源极/漏极部件，形成在一个或多个栅极中每一个栅极的两侧上；层间介电(ILD)层，形成在源极/漏极部件上，并且形成与第一隔离栅极共面的顶面。第一隔离栅极的第一高度大于至少一个功能栅极中的每一个功能栅极的第二高度。本发明还提供了用于MOSFET器件的结构和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105280700A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201410768937.3 | 申请日期 | 2014.12.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述器件包括：一个或多个鳍，形成在衬底上，并沿第一方向延伸；一个或多个栅极，形成在所述一个或多个鳍上，并沿第二方向延伸，所述第二方向基本垂直于所述第一方向，所述一个或多个栅极包括第一隔离栅极和至少一个功能栅极；源极/漏极部件，形成在所述一个或多个栅极中的每一个栅极的两侧上；层间介电(ILD)层，形成在所述源极/漏极部件上，并且形成与所述第一隔离栅极共面的顶面；其中，所述第一隔离栅极的第一高度大于所述至少一个功能栅极中的每一个功能栅极的第二高度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||