一种半导体功率器件双芯片混合封装结构

摘要

本实用新型涉及一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，属于半导体技术领域。包括塑封体、焊盘、引出端子、芯片、金属引线，其中引出端子与焊盘相连，芯片一面通过焊料焊接于焊盘上，另一面通过金属引线与其他未放置芯片的焊盘相连，焊盘数量设置不少于四个，且两两相向设置，与焊盘相连的引出端子数量与焊盘设置数量相同，芯片数量为两个，未放置芯片且相对设置的其中两个焊盘彼此相连。本实用新型特别针对低功耗多器件应用领域，采用双芯片集成封装结构，能有效减小器件的占位面积，有利于电路的微型化设计，也大大降低了制造成本。

主权项

一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，包括塑封体、焊盘、引出端子、芯片、金属引线，连接焊盘的引出端子有部分外露于塑封体外，芯片一面通过焊料焊接于焊盘上，另一面通过金属引线与其他未放置芯片的焊盘相连，其特征在于：所述焊盘数量设置不少于四个，且两两相向设置，与焊盘相连的所述引出端子数量与焊盘设置数量相同，所述芯片数量为两个，未放置芯片且相对设置的其中两个焊盘彼此相连。