发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
半导体器件,包括栅极、源极、漏极和沟道区,还包括包围漏极的漂移区,所述沟道区包围漂移区,所述沟道区外侧为源极,所述栅极和源极分为数量相同的至少两个。采用本发明所述的半导体器件,将两个或多个半导体器件的漏端和漂移区共用,使版图布局和芯片的连线得到优化,并且减少了器件面积,降低生产成本;满足开关电源系统对低待机功耗控制电路的需求,使芯片的功率损耗降低;在兼容CMOS工艺基础上开发了该器件,使该器件更具实用性。 |
申请公布号 |
CN103354237B |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201310291956.7 |
申请日期 |
2013.07.12 |
申请人 |
成都启臣微电子有限公司 |
发明人 |
许刚颖;余小强;李琴;唐波 |
分类号 |
H01L27/085(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/085(2006.01)I |
代理机构 |
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
代理人 |
梁田 |
主权项 |
半导体器件,包括栅极、源极、漏极(11)和沟道区,所述漏极和沟道区还分别包括漏极阱和沟道区阱,其特征在于,还包括包围漏极的漂移区(12),所述沟道区包围漂移区,所述沟道区外侧为源极,所述栅极和源极分别分为至少两个;所述漂移区、沟道区、源极为依次从内向外的同心圆环形状,所述栅极形状与沟道区形状对应;所述栅极分为第一栅极(13)和第二栅极(23),所述第一栅极(13)和第二栅极(23)的圆心角比例为7:1。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区西芯大道4号 |