| 发明名称 | 减少单颗化半导体片芯中残余污染物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及减少单颗化半导体片芯中残余污染物的方法。在一个实施例中，通过将半导体晶片放置到承载带上、形成穿过半导体晶片的单颗化道以及减少半导体晶片上残余污染物的存在，从半导体晶片单颗化半导体片芯。 | ||
| 申请公布号 | CN105280473A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510297329.3 | 申请日期 | 2015.06.03 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | J·M·都博;G·M·格里弗纳 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种用于加工半导体片芯的方法，其包括：提供其上形成有多个半导体片芯的半导体晶片，所述多个半导体片芯彼此之间按间距分开，其中所述半导体晶片具有相对的第一主表面和第二主表面；将所述半导体晶片放置到第一承载衬底上；通过所述间距将所述半导体晶片单颗化，以形成与所述多个半导体片芯相邻的单颗化道；以及使用第一流体从所述多个半导体片芯的表面减少残余污染物的存在。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||