| 发明名称 | 超级结半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种超级结半导体器件。所述超级结半导体器件包括：垂直柱区域，位于有源区上；水平柱区域，位于终止区上，其中，垂直柱区域和水平柱区域彼此连接，并且同时在终止区中整个柱区域不浮置。因此，虽然终止区的长度相对短，但是柱区域之间产生的电荷补偿差异被抵消。 | ||
| 申请公布号 | CN105280688A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510412322.1 | 申请日期 | 2015.07.14 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 禹赫;金大柄;崔彰容;姜棋太;全珖延;赵文秀;权纯琢 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王兆赓;张云珠 |
| 主权项 | 一种超级结半导体器件，包括：有源区；垂直柱区域，位于有源区上；第一终止区和第二终止区，围绕有源区；第一水平柱区域，位于第一终止区上；第二水平柱区域，位于第二终止区上，其中，第一水平柱区域、第二水平柱区域和垂直柱区域彼此连接。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||