发明名称 |
一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法,上述晶须增强压电陶瓷材料,由包含以下重量份的组分制成:氮化硅55-60份、聚乙烯醇10-15份、二氧化锆10-12份、锂霞石5-8份、碳化硅晶须4-7份、聚碳硅烷3-6份、聚铝硅氧烷2-4份、氧化铜2-3份、钛酸四丁脂1-3份、二硫化钼1-2份、过硫酸铵0.5-1份和氧化铕0.02-0.5份。本发明还提供了一种晶须增强压电陶瓷材料的制备方法。 |
申请公布号 |
CN105272327A |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201510628151.6 |
申请日期 |
2015.09.29 |
申请人 |
苏州宽温电子科技有限公司 |
发明人 |
翁宇飞;张其笑 |
分类号 |
C04B35/81(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/81(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11346 |
代理人 |
魏秀莉 |
主权项 |
一种晶须增强压电陶瓷材料,其特征在于,由包含以下重量份的组分制成:氮化硅 55‑60份,聚乙烯醇 10‑15份,二氧化锆 10‑12份,锂霞石 5‑8份,碳化硅晶须 4‑7份,聚碳硅烷 3‑6份,聚铝硅氧烷 2‑4份,氧化铜 2‑3份,钛酸四丁脂 1‑3份,二硫化钼 1‑2份,过硫酸铵 0.5‑1份,氧化铕 0.02‑0.5份。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇中山东路70号2307室 |