发明名称 一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法,上述晶须增强压电陶瓷材料,由包含以下重量份的组分制成:氮化硅55-60份、聚乙烯醇10-15份、二氧化锆10-12份、锂霞石5-8份、碳化硅晶须4-7份、聚碳硅烷3-6份、聚铝硅氧烷2-4份、氧化铜2-3份、钛酸四丁脂1-3份、二硫化钼1-2份、过硫酸铵0.5-1份和氧化铕0.02-0.5份。本发明还提供了一种晶须增强压电陶瓷材料的制备方法。
申请公布号 CN105272327A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201510628151.6 申请日期 2015.09.29
申请人 苏州宽温电子科技有限公司 发明人 翁宇飞;张其笑
分类号 C04B35/81(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I 主分类号 C04B35/81(2006.01)I
代理机构 北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11346 代理人 魏秀莉
主权项 一种晶须增强压电陶瓷材料,其特征在于,由包含以下重量份的组分制成:氮化硅       55‑60份,聚乙烯醇    10‑15份,二氧化锆     10‑12份,锂霞石  5‑8份,碳化硅晶须   4‑7份,聚碳硅烷  3‑6份,聚铝硅氧烷  2‑4份,氧化铜   2‑3份,钛酸四丁脂   1‑3份,二硫化钼  1‑2份,过硫酸铵   0.5‑1份,氧化铕  0.02‑0.5份。
地址 215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇中山东路70号2307室