发明名称 使用振膜中嵌入的Ti-W引线吸气剂的CMOS压力传感器
摘要 多种实施例涉及一种压力传感器,包括:压力敏感振膜,悬置在腔体上,其中通过一组锚结构将所述振膜固定到衬底;以及吸气剂材料,嵌入在所述振膜中,其中所述吸气剂表面接触腔体内的任何气体,并且通过能够将通过吸气剂材料的电流传导通过衬底的锚结构来将吸气剂材料的两端点附着到所述衬底。
申请公布号 CN105277309A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201510404305.3 申请日期 2015.07.10
申请人 ams国际有限公司 发明人 威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;马特吉·戈森斯;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格;马藤·奥尔德森;卡斯珀·范德阿奥斯特
分类号 G01L9/06(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I 主分类号 G01L9/06(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种压力传感器,包括:压力敏感振膜,悬置在腔体上,其中通过一组锚结构将所述振膜固定到衬底;以及吸气剂材料,嵌入在所述振膜中,其中所述吸气剂的表面接触腔体内的任何气体,并且通过能够将通过吸气剂材料的电流传导通过衬底的锚结构来将吸气剂材料的两端点附着到所述衬底。
地址 瑞士拉珀斯维尔镇