| 发明名称 | CMOS可兼容的多晶硅化物熔丝结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 描述了CMOS可兼容的多晶硅化物熔丝结构和制造CMOS可兼容的多晶硅化物熔丝结构的方法。在示例中，半导体结构包括衬底。多晶硅化物熔丝结构设置在衬底之上并且包括硅和金属。金属氧化物半导体(MOS)晶体管结构设置在衬底之上并且包括金属栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN105283961A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201380076882.3 | 申请日期 | 2013.06.25 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J-Y·D·叶;C-H·杨;W·M·哈佛滋;J·帕克 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 何焜 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底；多晶硅化物熔丝结构，设置在衬底之上并且包括硅和金属；以及设置在衬底之上的金属氧化物半导体(MOS)晶体管结构，所述MOS晶体管结构包括金属栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||