| 摘要 |
본 발명은 상승에지 검출 회로에 관한 것으로서, 쌍안정 메모리 유닛, 비대칭 지연 유닛, 인버터 및 다수 개의 NMOS 트랜지스터로 구성되고, 비대칭 지연 회로가 상승에지 지연과 하강에지 지연의 합이 입력 신호의 펄스 주기보다 크고 하강에지 지연이 아주 작은 조건을 만족하기만 하면, 최대 펄스 폭이 입력 신호 펄스 주기에 근접한 출력 신호를 발생시킬 수 있고, 후속 설비의 사용 요구도 만족시킬 수 있다. 본 발명은 구조가 간단할 뿐만 아니라 자체 기동 기능도 가지고 있기 때문에, 입력 신호의 이니셜 로우 레벨 길이가 비대칭 지연 회로의 상승에지 지연보다 크면 자체 기동할 수 있다. |
