一种形成侧墙的制备方法

摘要

本发明公开了一种侧墙的制备方法，包括以下步骤：在刻蚀形成存储单元区的栅极之后，沉积一氧化层覆盖存储单元区的栅极表面及外围逻辑区的上表面，经过刻蚀形成外围逻辑区的栅极；然后对剩余的氧化层进行刻蚀，保留位于存储单元区栅极侧壁的氧化层形成第一侧墙结构；再于第一侧墙结构表面及外围逻辑区栅极侧壁形成第二侧墙结构。本发明采用同步刻蚀的方案，利用不同区域刻蚀图形的不同，同时完成外围逻辑区的多晶硅刻蚀和存储单元区的侧墙刻蚀，相比较传统的制备方法，制备方法更加简单，简化了制备工艺流程，提高了生产效率，进而缩短产品的出货时间。

主权项

一种侧墙的制备方法，应用于存储器的制造工艺中，其特征在于，所述方法包括：步骤1、提供一具有存储单元区和外围逻辑区的半导体结构；步骤2、于所述存储单元区中形成栅极之后，沉积第一氧化层覆盖位于所述存储单元区中的栅极表面及覆盖外围逻辑区的上表面和覆盖存储单元区暴露的上表面；步骤3、刻蚀部分所述第一氧化层，在所述外围逻辑区中形成窗口图案，然后以剩余第一氧化层为掩膜向下进行刻蚀在所述外围逻辑区中形成栅极，且保留位于所述存储单元区中的第一氧化层；步骤4、部分刻蚀剩余的第一氧化层，于所述存储单元区中栅极侧壁形成第一侧墙；其中步骤4包括以下步骤：采用高选择比的等离子刻蚀去除部分的剩余第一氧化层，然后再采用湿法刻蚀工艺去除外围逻辑区和存储单元区各自栅极顶部的第一氧化层及暴露于存储单元区上表面的第一氧化层，于所述存储单元区中栅极侧壁形成第一侧墙；步骤5、沉积第二氧化层并部分刻蚀该第二氧化层，以形成第二侧墙和第三侧墙，所述第三侧墙覆盖所述外围逻辑区中的栅极侧壁，所述第二侧墙覆盖所述存储单元区栅极的第一侧墙的表面。