发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统

摘要

本发明提供发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统。该发光器件包括：第一电极层、发光结构、以及第二电极层。发光结构形成在第一电极层上以发射具有大约430nm至大约470nm的主峰波长区域的蓝色系列光，并且包括光提取结构。第二电极层包括在光提取结构上的由其等离子体频率不同于蓝色系列光的波长的金属材料形成的第一层。

主权项

一种发光器件，包括：第一电极层；发光结构，所述发光结构形成在所述第一电极层上以发射具有430nm至470nm的主峰波长区域的蓝色系列光；第二电极层，所述第二电极层设置在光提取结构上，包含第一层，并且包括用于引线键合的电极焊盘和用于电流扩展的分支，其中所述发光结构包括第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层上的有源层以及在所述有源层上的第一导电半导体层，所述第一导电半导体层的顶表面具有第一凹部和第一凸部以形成光提取结构；以及低折射率层，所述低折射率层在所述第一导电半导体层和所述第一层之间，所述低折射率层具有低于所述第一导电半导体层的折射率的折射率，其中，所述电极焊盘和所述分支中的每一个包括：第一层，所述第一层包含具有不同于所述蓝色系列光的波长的等离子体频率的Al，在所述第一层上的第三层，所述第三层由具有粘附性的金属材料形成；以及在所述第一层和所述第三层之间的第二层，所述第二层由防止层间扩散的金属材料形成，其中所述低折射率层由绝缘材料形成，所述低折射率层具有与所述光提取结构的第一凹部和第一凸部相对应的第二凹部和第二凸部，其中所述第一层的第一部分接触并且电连接到所述第一导电半导体层的顶表面，并且所述第一层的第二部分接触所述低折射率层的顶表面，其中所述第二电极层的第一层具有与所述光提取结构的第一凹部和第一凸部相对应的第三凹部和第三凸部，并且其中具有周期图案的光提取结构在所述第一层和所述第一导电半导体层之间的界面处形成在所述第一导电半导体层上。