半导体装置和电子设备

摘要

本发明涉及一种半导体装置和电子设备，其改进了半导体装置的制造成品率。提供了一种共射共基耦合系统的半导体装置，其具有使用带隙大于硅的物质作为材料的多个常通的结FET，以及使用硅作为材料的常断的MOSFET。此时，半导体芯片具有由结FET以分开方式形成的多个结FET半导体芯片(半导体芯片CHP0和半导体芯片CHP9)，以及由MOSFET形成的MOSFET半导体芯片(半导体芯片CHP2)。

主权项

一种半导体装置，包括：第一半导体芯片，具有由带隙大于硅的半导体构成的第一衬底，所述第一半导体芯片被形成有第一结FET，所述第一结FET具有第一栅极电极、第一源极和第一漏极；第二半导体芯片，具有由带隙大于硅的半导体构成的第二衬底，所述第二半导体芯片被形成有第二结FET，所述第二结FET具有第二栅极电极、第二源极和第二漏极；以及第三半导体芯片，具有由硅构成的第三衬底，所述第三半导体芯片被形成有MOSFET，所述MOSFET具有第三栅极电极、第三源极和第三漏极；所述第一结FET的第一源极与所述MOSFET的第三漏极电耦合，所述第二结FET的第二源极与所述MOSFET的第三漏极电耦合，所述第一结FET的第一栅极电极与所述MOSFET的第三源极电耦合；以及所述第二结FET的第二栅极电极与所述MOSFET的第三源极电耦合。