| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，其包括衬底和部分设置在衬底中的外延区域。外延区域包括晶格常数大于衬底的晶格常数的物质。外延区域中的物质的浓度分布从外延区域的底部到外延区域的顶部单调增加。外延区域的第一层具有为约2的高度与宽度比。第一层是紧挨衬底设置的层，并且第一层具有的物质的平均浓度为从约10％至约40％。第二层设置在第一层上方。第二层具有底部，底部具有的物质浓度为从约20％至约50％。本发明涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105280707A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510252597.3 | 申请日期 | 2015.05.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 光心君;余宗兴;许义明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底；以及外延区域，部分地设置在所述衬底中，包括：具有大于所述衬底的第二晶格常数的第一晶格常数的物质；所述物质的浓度分布从接近所述衬底的部分到逐渐远离所述衬底的部分单调增加；和多层结构，所述多层结构的每一层的所述物质的平均浓度均不同于其他层，所述多层结构包括：第一层，邻近所述外延区域与所述衬底的界面，并且所述第一层中的所述物质的平均浓度为从约10％至约40％，所述第一层包括：底部厚度；和横向厚度，其中，所述底部厚度与所述横向厚度的厚度比率为约2；和第二层，设置所述第一层上方，包括：底部，具有从约20％至约50％的所述物质的浓度；和掺杂物。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||