发明名称 |
一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方及腐蚀方法 |
摘要 |
一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方及腐蚀方法,配方包括氢氟酸、硝酸和去离子水;各组成部分的体积比如下:氢氟酸:硝酸:去离子水=(0.8-1.2):(2.5-3.5):2。利用本发明配方腐蚀的多层膜电路镍层在40×显微镜下观察,线条侧壁光滑、陡直,无金属膜层内缩,无锯齿状凸起或内凹;腐蚀前后对比膜层附着力无明显变化,无膜层起翘、脱落等现象;经上百次腐蚀验证,线条质量良好,腐蚀过程容易控制,腐蚀工艺性较为稳定。 |
申请公布号 |
CN105274530A |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201510594064.3 |
申请日期 |
2015.09.17 |
申请人 |
西安空间无线电技术研究所 |
发明人 |
王峰;王平;白浩;黄海涛 |
分类号 |
C23F1/28(2006.01)I |
主分类号 |
C23F1/28(2006.01)I |
代理机构 |
中国航天科技专利中心 11009 |
代理人 |
庞静 |
主权项 |
一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方,其特征在于:包括氢氟酸、硝酸和去离子水;各组成部分的体积比如下:氢氟酸:硝酸:去离子水=(0.8‑1.2):(2.5‑3.5):2。 |
地址 |
710100 陕西省西安市长安区西街150号 |