发明名称 一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方及腐蚀方法
摘要 一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方及腐蚀方法,配方包括氢氟酸、硝酸和去离子水;各组成部分的体积比如下:氢氟酸:硝酸:去离子水=(0.8-1.2):(2.5-3.5):2。利用本发明配方腐蚀的多层膜电路镍层在40×显微镜下观察,线条侧壁光滑、陡直,无金属膜层内缩,无锯齿状凸起或内凹;腐蚀前后对比膜层附着力无明显变化,无膜层起翘、脱落等现象;经上百次腐蚀验证,线条质量良好,腐蚀过程容易控制,腐蚀工艺性较为稳定。
申请公布号 CN105274530A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201510594064.3 申请日期 2015.09.17
申请人 西安空间无线电技术研究所 发明人 王峰;王平;白浩;黄海涛
分类号 C23F1/28(2006.01)I 主分类号 C23F1/28(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 庞静
主权项 一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方,其特征在于:包括氢氟酸、硝酸和去离子水;各组成部分的体积比如下:氢氟酸:硝酸:去离子水=(0.8‑1.2):(2.5‑3.5):2。
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