一种栅极阵列图形的双重曝光制作方法

摘要

本发明公开了一种栅极阵列图形的双重曝光制作方法，首先提供一半导体衬底，并在半导体衬底上形成多晶硅薄膜以及光刻胶；接着采用第一掩膜版在预设照明条件下对所述光刻胶执行第一次曝光，并降低第一掩膜版上重叠区域的透射率；然后采用第二掩膜版在预设照明条件下对光刻胶执行第二次曝光，且重叠区域经过两次曝光叠加后透射率为100％；再接着通过曝光后烘焙以及显影工艺使光刻胶中形成栅极线条图案以及线端切割图案；最后采用刻蚀工艺在多晶硅薄膜上形成目标图形。本发明通过控制两次曝光叠加后透射率为100％，保证了重叠区域不会产生过度的光酸反应，进而保证了良好的成像质量；同时，本发明大大减化了制程，提高了产能效率，降低了制作成本。

主权项

一种栅极阵列图形的双重曝光制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、提供一半导体衬底，并在半导体衬底上依次形成多晶硅薄膜以及光刻胶；步骤S02、采用第一掩膜版在预设照明条件下对所述光刻胶执行第一次曝光，其中，所述第一掩膜版具有栅极线条图案或线端切割图案，栅极线条图案或线端切割图案的重叠区域的透射率小于100％；步骤S03、采用第二掩膜版在预设照明条件下对所述光刻胶执行第二次曝光，其中，所述第二掩膜版具有线端切割图案或栅极线条图案，栅极线条图案或线端切割图案的重叠区域经过两次曝光叠加后透射率为100％；步骤S04、通过曝光后烘焙以及显影工艺使光刻胶中形成栅极线条图案以及线端切割图案；步骤S05、采用刻蚀工艺在多晶硅薄膜上形成栅极线条图案以及线端切割图案组合成的目标图形。