发明名称 IMAGING DETECTOR
摘要 실리콘 이미징 검출기 타일(216)은 각각 광-트랜지스터(406)를 갖는 복수의 검출기 픽셀들(304)을 포함하는 실리콘 광-센서 층(302)과, 상기 복수의 광-트랜지스터의 각각에 대해 전류-대-주파수 변환기 및 바이어스 제어 소자(404)를 포함하는, 상기 실리콘 광-센서 층에 연결된, 실리콘 전자장치 층(314)을 포함한다. 방법은 이미징 검출기의 실리콘 광-센서 층의 검출기 픽셀의 광-트랜지스터로 암 전류를 감지하고, 바이어스 제어 소자로, 상기 실리콘 광-센서 층에 결합된 실리콘 전자장치 층의 전류-대-주파수 변환기에 전송된 암 전류의 양을 조정하고, 상기 전류-대-주파수 변환기로 상기 전류-대-주파수 변환기에 전송된 암 전류의 양을 변환하는 것을 포함한다.
申请公布号 KR20160010552(A) 申请公布日期 2016.01.27
申请号 KR20157035556 申请日期 2014.05.07
申请人 KONINKLIJKE PHILIPS N.V. 发明人 CHAPPO MARC ANTHONY
分类号 G01T1/20;A61B6/00;A61B6/03;H04N5/32;H04N5/3745 主分类号 G01T1/20
代理机构 代理人
主权项
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