基于III族氮化物的半导体构件

摘要

本实用新型涉及基于III族氮化物的半导体构件。所公开的实施例涉及具有一个或多个沟槽的半导体构件。根据一种实施例，半导体构件包含在半导体材料体之上的多个化合物半导体材料层以及延伸到该多个化合物半导体材料层之内的第一及第二填充沟槽。第一沟槽具有第一及第二侧壁和底面以及在第一及第二侧壁之上的第一电介质内衬，而第二沟槽具有第一及第二侧壁和底面以及在第二沟槽的第一及第二侧壁之上的第二电介质内衬。

主权项

一种基于III族氮化物的半导体构件，其特征在于包含：具有表面的半导体材料；在所述半导体材料上的电场截止层；在所述电场截止层上的第一III族氮化物材料层；多个沟槽，其中所述多个沟槽中的每个沟槽都延伸穿过所述第一III族氮化物材料层、所述电场截止层，并进入所述半导体材料内，并且其中所述多个沟槽中的每个沟槽都具有底面和相对的侧壁；至少在所述多个沟槽的第一沟槽的所述相对侧壁上的、在所述多个沟槽的第二沟槽的所述相对侧壁上的，以及在所述多个沟槽的所述第二沟槽的所述底面上的绝缘材料层；以及在所述多个沟槽的所述第一沟槽和所述多个沟槽的所述第二沟槽内的沟槽填充材料。