| 摘要 |
1. Устройство, имеющее по меньшей мере один гетероструктурный p/n-диод, содержащий подложку на основе HgCdTe, главным образом n-легированную, причем упомянутая подложка содержит для каждого диода: первую часть (4), имеющую первую концентрацию кадмия, вторую часть (11), имеющую вторую концентрацию кадмия больше, чем первая концентрация кадмия, причем вторая часть, или концентрированная часть (11), образует гетероструктуру с первой частью (4), р+-легированную зону (9) или р-легированную зону, расположенную в концентрированной части (11), продолжающуюся в первую часть (4) и образующую p/n-переход (10) с n-легированным участком первой части (4), или базовой подложкой (1), в которой концентрированная часть (11) расположена только в р+-легированной зоне (9) и образуют карман (12), по существу, с постоянной концентрацией кадмия.2. Устройство по п. 1, в котором карман (12) имеет основание, расположенное на, по существу, постоянном среднем расстоянии (D) относительно p/n-перехода (10).3. Устройство по п. 2, в котором, когда оно содержит по меньшей мере два смежных гетероструктурных p/n-диода, карманы (12) двух смежных диодов отделены, и среднее относительное расстояние (D) в одном из двух диодов, по существу, равно среднему относительному расстоянию (D) в другом диоде.4. Устройство по любому из пп. 1-3, в котором р+-легированная зона (9) легирована акцепторной легирующей примесью (8).5. Устройство по п. 4, в котором акцепторная легирующая примесь (8) является мышьяком.6. Устройство по п. 1, в котором базовая подложка (1) выполнена из HgCdTe, где х имеет значение между 0,15 и 0,95, и описывает первую концентрацию кадмия.7. Устройство по п. 6, в котором карман (12) выполнен из HgCdTe, где y имеет значен� |
