一种存储装置及其存储方法

摘要

本发明公开了一种存储装置及其存储方法。该装置包括第一磁性层、隔离层、第二磁性层、第三磁性层和第四磁性层；隔离层、第二磁性层和第三磁性层设置在第一磁性层上，第二磁性层和第三磁性层位于第一磁性层的两端，隔离层位于第二磁性层和第三磁性层之间，第四磁性层设置在隔离层上；第二磁性层和第三磁性层在第一磁性层的两端形成第一被钉扎区和第二被钉扎区，第一被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相同，第二被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相反。本发明能有效降低MTJ结构自由层磁化翻转的临界电流密度，对自旋电子学在基础和应用方面的发展具有非常重要的意义。

主权项

一种存储装置，其特征在于，包括第一磁性层、隔离层、第二磁性层、第三磁性层和第四磁性层；所述隔离层、所述第二磁性层和所述第三磁性层设置在所述第一磁性层上，所述第二磁性层和所述第三磁性层位于所述第一磁性层的两端，所述隔离层位于所述第二磁性层和所述第三磁性层之间，所述第四磁性层设置在所述隔离层上；所述第二磁性层和所述第三磁性层将所述第一磁性层两端的磁化方向钉扎，从而在所述第一磁性层的两端形成第一被钉扎区和第二被钉扎区，将所述第一磁性层在所述第一被钉扎区和所述第二被钉扎区之间的部分称为数据区，所述数据区与所述隔离层和所述第四磁性层形成磁隧道结，所述数据区作为所述磁隧道结的自由层，所述第四磁性层作为所述磁隧道结的钉扎层，所述第一被钉扎区的磁化方向与所述第四磁性层的磁化方向相同，所述第二被钉扎区的磁化方向与所述第四磁性层的磁化方向相反。