发明名称 |
一种基于图形化蓝宝石衬底的LED芯片去腊工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种基于图形化蓝宝石衬底的LED芯片去腊工艺,其特征在于所述步骤为:对吸附有石蜡的蓝宝石衬底芯片进行加热;然后依次在去腊液A和去腊液B中浸泡,再分别置于丙酮、异丙醇中超声清洗,最后烘干。本发明的优点在于:本发明中首先采用去腊液进行去腊处理,再依次通过丙酮与异丙醇进行二次超声清洗,并合理的控制作为清洗液的丙酮、异丙醇温度以及相对的超声功率,进而实现无水清洗,且清洗效果好,无残留。 |
申请公布号 |
CN105280765A |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201510795598.2 |
申请日期 |
2015.11.18 |
申请人 |
海迪科(南通)光电科技有限公司 |
发明人 |
贾辰宇;孙智江;任笑寒 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 |
代理人 |
滑春生 |
主权项 |
一种基于图形化蓝宝石衬底的LED芯片去腊工艺,其特征在于所述步骤为:步骤S1:对吸附有石蜡的蓝宝石衬底芯片进行加热,加热温度不低于石蜡熔点,使得蓝宝石衬底芯片上的石蜡熔化;步骤S2:将步骤S1中所得的蓝宝石衬底芯片置于去腊液中浸泡,浸泡时间8~10min,浸泡温度78~82℃;步骤S3:重新更换洁净的去腊液,然后将步骤S2中所得的蓝宝石衬底芯片置于新的去腊液中二次浸泡,浸泡时间8~10min,浸泡温度78~82℃;步骤S4:对步骤S3中得到的蓝宝石衬底芯片置于30~40℃丙酮中进行超声清洗,超声波发生器功率控制在50~70w,超声清洗持续时间8~12min;步骤S5:对步骤S4中得到的蓝宝石衬底芯片置于40~48℃的异丙醇中进行超声清洗,超声波发生器功率控制在60~80w,超声清洗持续时间8~12min;步骤S6:对步骤S5中的蓝宝石衬底芯片置于烤箱中烘干,烘干时间5~8min。 |
地址 |
226500 江苏省南通市如皋市桃园镇育华村34组 |