横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管

摘要

本实用新型公开了一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管，包括p型基板、在所述p型基板上层形成的n-漂移层、在n-漂移层的正面形成阴极、双通道栅极和阳极、所述n-漂移层上的阴极与双通道栅极之间形成的n+阴极区、p+基层及p-基层，在所述双通道栅极与阳极之间有一层膜，形成n+浮空区与p-基层，该膜与阴极之间形成p+区与n+缓冲区。本实用新型公开了一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管，既能提升击穿电压，又能保持闩锁电流密度不变，并且几乎不产生回跳现象。

主权项

一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管，其特征在于：包括p型基板、在所述p型基板上层形成的n‑漂移层、在n‑漂移层的正面形成阴极、双通道栅极和阳极、所述n‑漂移层上的阴极与双通道栅极之间形成的n+阴极区、p+基层及p‑基层，在所述双通道栅极与阳极之间有一层膜，形成n+浮空区与p‑基层，该膜与阴极之间形成p+区与n+缓冲区。