| 摘要 |
본 발명은 결정성 산화물 반도체막을 제공한다. 결정성 In-Ga-Zn 산화물을 포함하는 타깃에 이온을 충돌시킴으로써, 평판상의 In-Ga-Zn 산화물이 분리된다. 평판상의 In-Ga-Zn 산화물에서, 갈륨 원자와 아연 원자와 산소 원자를 포함한 제 1 층, 아연 원자와 산소 원자를 포함한 제 2 층, 인듐 원자와 산소 원자를 포함한 제 3 층, 및 갈륨 원자와 아연 원자와 산소 원자를 포함한 제 4 층이 순차적으로 적층된다. 결정성을 유지하면서 평판상의 In-Ga-Zn 산화물이 기판 위에 퇴적된 후에 제 2 층을 가스화하여 배기한다. |
