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고감도, 고해상도, 고에칭내성, 저아웃 가스량 및 얻어지는 레지스트 패턴 형상이 양호한 레지스트 화합물을 포함하는 감방사선성 조성물 및 이 감방사선성 조성물을 이용하는 레지스트 패턴 형성 방법, 및 광학 특성 및 에칭 내성이 뛰어나고, 아울러 승화물이 실질적으로 없는 신규한 포토레지스트 하층막을 형성하기 위한 조성물 및 그것으로부터 형성된 하층막을 제공한다. 탄소수가 2~59이고 1~4개의 포르밀기를 가지는 화합물(알데히드성 화합물(A1))과, 탄소수 6~15이고 1~3개의 페놀성 수산기를 가지는 화합물(페놀성 화합물(A2))의 축합 반응에 의해 합성한, 분자량이 700~5000인 환상 화합물(A)인 특정 구조의 환상화합물 및 용매를 포함하는 감방사선성 조성물. 이 조성물에 이용하는 환상 화합물. |
