IN-SITU CHAMBER TREATMENT AND DEPOSITION PROCESS

摘要

본 발명의 실시예들은 처리 챔버의 내부 표면들을 처리하고 원자층 증착(ALD) 또는 화학 기상 증착(CVD)와 같은 기상 증착 프로세스 동안 물질을 증착하기 위한 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 처리 챔버의 내부 표면들 및 기판은 선처리 프로세스 동안 수소화 리간드 화합물과 같은 시약에 노출될 수 있다. 수소화 리간드 화합물은 이후의 기상 증착 프로세스 동안 사용되는 금속-유기 전구체로부터 형성된 프리 리간드와 동일한 리간드일 수 있다. 프리 리간드는 통상 증착 프로세스 동안 수소화 또는 열분해(thermolysis)에 의해 형성된다. 일 예에서, 처리 챔버 및 기판은 펜타키스(디메틸아미노) 탄탈(PDMAT)과 같은 알킬아미노 리간드들을 가지는 금속-유기 화학 전구체를 이용하는 기상 증착 프로세스를 수행하기 전에 선처리 프로세스 동안 알킬아민 화합물(예, 디메틸아민)에 노출된다.