发明名称 USE OF CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING (CMP) COMPOSITION FOR POLISHING SUBSTANCE OR LAYER CONTAINING AT LEAST ONE III-V MATERIAL
摘要 화학적-기계적 연마(CMP) 조성물이 하기 성분을 포함하는, 하나 이상의 III-V 재료를 포함하는 기판 또는 층을 연마하기 위한 CMP 조성물의 용도가 기재되고; (A) 2 내지 6의 범위의 pH에서 -15 mV 이하의 음의 제타 전위를 갖는 표면 개질 실리카 입자, (B) 하기로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 구성성분, (i) 트리아졸 고리에 어닐된 방향족 고리를 갖지 않는 치환 및 비치환 트리아졸, (ii) 벤즈이미다졸, (iii) 2개 이상의 카르복실기를 갖는 아미노산, 지방족 카르복실산, 및 그의 각각의 염으로 구성된 군으로부터 선택된 킬레이트화제, 및 (iv) 아크릴산의 단독중합체 및 공중합체, 및 그의 각각의 염, (C) 물, (D) 선택적으로 하나 이상의 추가 구성성분, 상기에서 조성물의 pH는 2 내지 6의 범위이다.
申请公布号 KR20160009644(A) 申请公布日期 2016.01.26
申请号 KR20157035421 申请日期 2014.05.06
申请人 BASF SE 发明人 LAN YONGQING;PRZYBYLSKI PETER;BAO ZHENYU;PROELSS JULIAN
分类号 C09G1/02;C09K3/14;H01L21/306 主分类号 C09G1/02
代理机构 代理人
主权项
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