| 摘要 |
비휘발성 메모리 장치의 읽기 방법은 메모리 셀 데이터 및 배드 섹터 정보에 기초하여 배드 섹터(bad sector)에 포함된 메모리 셀들에 기입된 데이터에 상응하는 배드 섹터 데이터를 전송하는 단계, 배드 섹터 데이터의 에러를 체크하여 미리 설정된 값 이상의 에러 비트 수를 가지는 섹터를 배드 섹터로 판단하여 배드 섹터 정보를 갱신하는 단계, 갱신된 배드 섹터 정보에 기초하여 배드 섹터 데이터 요청 신호를 생성하는 단계, 배드 섹터 데이터 요청 신호에 응답하여 읽기 동작 워드 라인 전압을 조정하는 단계, 및 읽기 동작 워드 라인 전압에 기초하여 메모리 셀 어레이에 포함된 메모리 셀들에 기입된 데이터에 상응하는 메모리 셀 데이터를 갱신하는 단계를 포함한다. 비휘발성 메모리 장치의 읽기 방법은 동작 시간을 줄일 수 있다. |
