| 摘要 |
본 발명은, 동위원소 풍부한 규소 전구체 조성물이 결여된 상응하는 이온 주입에 비해 이온 주입에서 이온 주입 시스템의 성능을 향상시키는데 유용한 동위원소-풍부한 규소 전구체 조성물에 관한 것이다. 규소 도판트 조성물은Si,Si, 및Si 중 하나 이상이 자연 존재비 초과량으로 동위원소-풍부한 하나 이상의 규소 화합물을 포함하고, 보조-종 가스 및 희석 가스 중 하나 이상을 포함하는 보충 가스를 포함할 수 있다. 또한, 이런 규소 도판트 조성물을 이온 주입기에 제공하기 위한 도판트 가스 공급 장치뿐만 아니라 이런 도판트 가스 공급 장치를 포함하는 이온 주입 시스템이 기재된다. |
