| 摘要 |
본 발명은, 기판 상에 일방향으로 연장하는 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 게이트 전극 위로 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극에 대응하여 순차적으로 순수 비정질 실리콘 패턴 및 불순물 비정질 실리콘 패턴을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극 사이로 노출된 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴을 제거함으로써 서로 이격하는 오믹콘택층을 형성하는 단계와; 고체 매질을 갖는 레이저 장치를 이용하여 레이저 빔을 조사함으로써 상기 소스 및 드레인 전극 사이로 노출된 부분의 순수 비정질 실리콘 패턴과 서로 마주하는 상기 소스 및 드레인 전극 일끝단 각각의 제 1 폭에 대응하는 부분의 순수 비정질 실리콘패턴을 결정화함으로써 상기 소스 및 드레인 전극 사이로 노출된 부분과 상기 각 제 1 폭에 대응하는 부분은 폴리실리콘으로 이루어지며, 상기 각 제 1 폭을 제외한 상기 소스 및 드레인 전극과 중첩하는 부분은 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선 위로 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 상기 화소영역에 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 어레이 기판을 제공한다. |
