| 发明名称 |
LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE |
| 摘要 |
발광층에서 발생되는 삼중항 들뜬자를 효율적으로 이용함으로써 형광 발광 소자의 발광 효율이 증가시키는 것을 목적으로 하여, 발광 소자가 이하의 구조를 포함한다. 이것은 한 쌍의 전극, 게스트 재료 및 호스트 재료를 포함하는 발광층을 포함하는 EL층, 및 정공 수송층을 포함하고, 호스트 재료의 T1 준위는 게스트 재료의 T1 준위 및 정공 수송 재료의 T1 준위보다 낮다. 따라서, 발광 소자의 발광 효율이 향상된다. |
| 申请公布号 |
KR20160008570(A) |
申请公布日期 |
2016.01.22 |
| 申请号 |
KR20157033559 |
申请日期 |
2014.05.07 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
NONAKA YUSUKE;SEO SATOSHI;OSAKA HARUE;SUZUKI TSUNENORI;WATABE TAKEYOSHI |
| 分类号 |
H01L51/50;F21Y105/00;H01L51/52 |
主分类号 |
H01L51/50 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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