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发明名称
PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING DEVICE
摘要
에칭 대상 막 및 패터닝된 마스크를 포함하는 피처리체를 플라즈마 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 상기 마스크를 이용하여 상기 에칭 대상 막을 플라즈마 에칭하는 제1 공정과, 상기 제1 공정에 의해 에칭된 상기 에칭 대상 막의 측벽부의 적어도 일부에, 실리콘 함유 가스의 플라즈마에 의해 실리콘 함유 막을 퇴적시키는 제2 공정을 갖는 플라즈마 에칭 방법.
申请公布号
KR20160008499(A)
申请公布日期
2016.01.22
申请号
KR20157024228
申请日期
2014.05.09
申请人
TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人
KITAGAITO KEIJI;KOBAYASHI FUMIYA;TOMURA MAJU
分类号
H01L21/3065;H01L21/311
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
主权项
地址
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