发明名称 阴极
摘要 明之阴极系成膜装置所使用之阴极,其包含:靶材,其系设置于成膜空间内,且包含具第1主面、位于前述第1主面之相反侧之第2主面、第1侧面、及位于前述第1侧面之相反侧之第2侧面之背板、配置于前述第1主面之第1母材、配置于前述第2主面之第2母材、及从前述第1侧面向前述第2侧面贯通前述背板之旋转轴;控制部,其系使前述旋转轴旋转,经由前述旋转轴,对前述靶材供给溅镀使用之电力;及磁场产生部,其系以于前述第1母材或前述第2母材产生泄漏磁通之方式,设置于靠近自前述成膜空间离隔之前述背板之面之位置。
申请公布号 TWI518195 申请公布日期 2016.01.21
申请号 TW100142792 申请日期 2011.11.22
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 佐藤善胜;大野哲宏;大空弘树;佐藤重光
分类号 C23C14/34(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种阴极,其特征为,其系成膜装置所使用者,且包含:靶材,其系设置于成膜空间内,且包含具第1主面、位于前述第1主面之相反侧之第2主面、第1侧面、及位于前述第1侧面之相反侧之第2侧面之背板、配置于前述第1主面之第1母材、配置于前述第2主面之第2母材、及从前述第1侧面向前述第2侧面贯通前述背板之旋转轴;控制部,其系使前述旋转轴旋转,经由前述旋转轴,对前述靶材供给溅镀使用之电力;及磁场产生部,其系以于前述第1母材或前述第2母材产生泄漏磁通之方式,设置于靠近自前述成膜空间离隔之前述背板之面之位置,且位于前述背板之外部;其中前述磁场产生部系于前述第1母材产生泄漏磁通时,配置于靠近前述第2母材之位置,于前述第2母材产生泄漏磁通时,配置于靠近前述第1母材之位置。
地址 日本