Das Integrieren VLSI-kompatibler Rippen-Strukturen mit selektivem Epitaxialwachstum und das Fertigen von Vorrichtungen darauf

摘要

Unterschiedliche n- und p-Typen von Vorrichtungs-Rippen werden durch epitaxiales Wachsenlassen erster Epitaxialbereiche eines Materials eines ersten Typs aus einer Substratoberfläche an einer Unterseite von ersten Gräben ausgebildet, die zwischen flachen-Grabenisolations(STI)-Bereichen ausgebildet sind. Die STI-Bereiche und erste-Graben-Höhen sind mindestens 1,5 mal deren Breite. Die STI-Bereiche werden weggeätzt, um die obere Fläche des Substrats zur Ausbildung von zweiten Gräben zwischen den ersten Epitaxialbereichen freizulegen. Eine Abstandsmaterialschicht ist in den zweiten Gräben auf Seitenwänden der ersten Epitaxialbereiche ausgebildet. Zweite Epitaxialbereiche eines Materials eines zweiten Typs werden aus der Substratoberfläche an einer Unterseite der zweiten Gräben zwischen den ersten Epitaxialbereichen wachsen gelassen. N- und p-Typ-Rippen-Paare können aus dem ersten und zweiten Epitaxialbereich gebildet werden. Die Rippen werden miteinbezogen und weisen verminderte Defekte aus einer Materialschnittflächengitterfehlanpassung auf.