Halbleiterbauelementanordnung und Halbleiterbauelementanordnung mit einem lateralen Halbleiterbauelement

摘要

Halbleiterbauelementanordnung, die aufweist: eine erste und eine zweite Halbleiterschicht (20, 40), die benachbart zueinander angeordnet sind und die durch eine Dielektrikumsschicht (30) voneinander getrennt sind und von denen wenigstens die erste Halbleiterschicht (20) ein polykristallines Halbleitermaterial, ein amorphes Halbleitermaterial oder ein organischen Halbleitermaterial aufweist; in der ersten Halbleiterschicht (20): eine Sourcezone (21), eine Bodyzone (22), eine Driftzone (23) und eine Drainzone (24); in der zweiten Halbleiterschicht (40): eine Driftsteuerzone (42), die benachbart zu der Driftzone (23) angeordnet ist, die an einem ersten lateralen Ende einen Ansteueranschluss (43) zum Anlegen eines Ansteuerpotenzials aufweist und die an einem zweiten lateralen Ende über ein Gleichrichterelement (51) an die Drainzone (24) gekoppelt ist; eine Gateelektrode (61), die benachbart zu der Bodyzone (22) angeordnet ist und die durch eine Gatedielektrikumsschicht (62) dielektrisch gegenüber der Bodyzone (22) isoliert ist.