减少绝缘层上覆矽结构中未接合区域之宽度的方法及以此方法制成之晶圆及绝缘层上覆矽结构

摘要

明系关于具有经减少未接合区域之绝缘层上覆矽结构的制备，且系关于用于藉由最小化处置晶圆及供体晶圆之滚离量(ROA)来制造此等晶圆的方法。本发明亦提供用于抛光晶圆之方法。

主权项

一种用于制造一绝缘层上覆矽结构之程序，该结构包含一处置晶圆、一矽层，及在该处置晶圆与该矽层之间的一介电层，该结构具有一中心轴线、大体上垂直于该中心轴线之一前表面及一后表面、结合该前表面与该后表面之一圆周边缘，及自该中心轴线延伸至该圆周边缘之一半径，该程序包含：在一供体晶圆及一处置晶圆中之至少一者的一前表面上形成一介电层；将该介电层接合至该供体晶圆及该处置晶圆中之至少一者以形成一接合晶圆，其中该供体晶圆及该处置晶圆中之至少一者具有小于约-600nm之一厚度滚离量(ROA)，该厚度ROA系由以下测量协定(measurement protocol)所定义，该测量协定系基于该供体晶圆或该处置晶圆之一厚度量变曲线(thickness profile)：在该厚度量变曲线上之一第一适当点(discrete point)与一第二适当点之间形成一参考线，该第一及第二适当点各距离该结构之该中心轴线达一距离，该第一适当点与该结构之该中心轴线之间的距离为该结构之该半径之约82.7%，且该第二适当点与该结构之该中心轴线之间的距离为该结构之该半径之约93.3%；量测该参考线与该晶圆厚度量变曲线上之一第三适当点之间的距离，该第三适当点与该结构之该中心轴线之间的距离为该结构之该半径之约99.3%；及
沿着该供体晶圆内之一分离平面分离该接合晶圆，使得该矽层保持接合至该介电层以形成该绝缘层上覆矽结构。