一种化合物半导体元件及其制备方法

摘要

明系关于一种化合物半导体元件及其制备方法，包括使用选择性掺杂技术在基板形成一掺杂区，使半导体于基板上不同区域的成长速率不同，进而形成具有高低差结构的半导体层，并在之后继续成长化合物半导体元件结构以制作化合物半导体元件。

主权项

一种化合物半导体元件，系包含：一基板，具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区设于该基板的一表面；以及一半导体层，设置于该基板上；其中该半导体层的晶格常数不同于该基板的晶格常数，且该第一掺杂区与该第二掺杂区分别有不同掺杂情形，且该半导体层在该第一掺杂区的成长速率与在该第二掺杂区的成长速率彼此不同且均为正数。