形成一图案化富矽可显影抗反射材料之方法及包含其之半导体装置结构

摘要

明揭示形成一图案化富矽可显影抗反射材料之方法。一种此类方法包含形成一富矽可显影抗反射组合物。该富矽可显影抗反射组合物包含一富矽聚合物及一交联剂。使该富矽聚合物与该交联剂反应以形成不可溶且具有至少一酸敏感部分之一富矽可显影抗反射材料。将一正型感光材料(诸如，一正型光阻)形成于该富矽可显影抗反射材料上方且使其区曝露至辐射。移除该正型感光材料之该等经曝露之区及该富矽可显影抗反射材料之下伏区。揭示了额外方法，亦揭示了包括一富矽可显影抗反射材料之半导体装置结构。

主权项

一种形成一图案化富矽可显影抗反射材料之方法，其包含：形成可溶于一溶剂中且包含一富矽聚合物及一交联剂之一富矽可显影抗反射组合物；使该富矽聚合物与该交联剂反应以形成不可溶于该溶剂中之一富矽可显影抗反射材料；将一正型感光材料形成于该富矽可显影抗反射材料上方；将该正型感光材料之若干区曝露至辐射以解偶该富矽可显影抗反射材料之若干下伏区且使该富矽可显影抗反射材料之该等下伏区溶于该溶剂中；及移除该正型感光材料之经曝露之该等区及该富矽可显影抗反射材料之该等下伏区。