发明名称 |
形成细间距结构之方法 |
摘要 |
具有一开放内部体积之一模具以界定图案。该模具具有界定该内部体积并抑制沈积之一顶层、一底层及侧壁。该模具之一端为开放的,且一相对端具有用作一晶种侧壁之一侧壁。一第一材料沈积于该晶种侧壁上。一第二材料沈积于该所沈积之第一材料上。该第一材料及该第二材料之沈积为交替的,藉此在该内部体积中形成该第一材料及该第二材料之交替列。该模具及晶种层随后经选择性地移除。另外,选择性地移除该第一材料或该第二材料中之一者,藉此形成包括剩余材料之独立列之一图案。该等独立列可用作最终产品(例如,积体电路)中之结构,或可用作硬式遮罩结构以图案化一下伏基板。该模具及材料之该等列可形成于多个层级上。不同层级上之列可彼此交叉。自该等列中之一些选择性地移除材料可自开口形成(例如)接触导通孔。 |
申请公布号 |
TWI518740 |
申请公布日期 |
2016.01.21 |
申请号 |
TW098119261 |
申请日期 |
2009.06.09 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
珊得胡 高提杰 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种图案化方法,其包含:提供一基板,该基板之一顶部表面包含一沈积抑制材料;在该沈积抑制材料上方提供大量之一牺牲材料;在该大量之该牺牲材料之一侧上形成一晶种壁;在该大量之该牺牲材料之相对侧上形成第一及第二沈积抑制壁,该晶种壁安置于该第一沈积抑制壁与该第二沈积抑制壁之间且与该第一沈积抑制壁及该第二沈积抑制壁接触;在该大量之该牺牲材料上方形成一沈积抑制罩盖层;选择性地移除该大量之该牺牲材料以形成一开放体积,该开放体积至少部分地由该晶种壁、该第一沈积抑制壁及该第二沈积抑制壁、该沈积抑制材料及该罩盖层形成边界;及在该开放体积中交替地沈积一第一材料及一第二材料。
|
地址 |
美国 |