发明名称 |
记忆装置 |
摘要 |
明欲提供一种可更容易地检测泄漏电流之半导体记忆装置。
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申请公布号 |
TWI518704 |
申请公布日期 |
2016.01.21 |
申请号 |
TW103106116 |
申请日期 |
2014.02.24 |
申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
细野浩司;黑泽智纪 |
分类号 |
G11C7/18(2006.01);G11C8/14(2006.01);G11C5/06(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/18(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种记忆装置,其特征在于包括:复数个记忆区块;及列解码器,其具备复数个解码器,该等复数个解码器若被选择,则分别输出用以选择上述复数个记忆区块中之1个或复数个之区块选择信号;若上述列解码器接收选择上述复数个解码器中之1个之位址信号,则藉由上述位址信号而经选择之解码器及其他解码器之各者输出区块选择信号。
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地址 |
日本 |