发明名称 |
制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法 |
摘要 |
明涉及一种半导体器件的制备方法,更确切的说,本发明旨在提供一种在晶圆级的方式上达到制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法。在晶圆正面覆盖第一塑封层形成其中的基准线,翻转晶圆至其背面朝上,在晶圆减薄后在其背面沉积一金属层,并翻转晶圆至金属层朝下,之后在金属层上粘附一层粘贴膜,沿着基准线实施切割,形成正面带有顶部塑封层和背面带有底部金属层的晶片,以获得多个半导体器件。同时翻转粘贴膜和各晶片,并在各顶部塑封层上粘附另一层粘贴膜,剥离各底部金属层上所粘附的粘贴膜之后,在无翻转的条件下将半导体器件拾取并安装至承载基板上以实现倒装安装。 |
申请公布号 |
TWI518809 |
申请公布日期 |
2016.01.21 |
申请号 |
TW102114521 |
申请日期 |
2013.04.24 |
申请人 |
万国半导体股份有限公司 |
发明人 |
薛彦迅;耶尔马兹 哈姆紮;何 约瑟;石磊;赵良;黄平;吴平丽 |
分类号 |
H01L21/58(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/58(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶大慧 |
主权项 |
一种制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法,其特征在于,包括以下步骤:在晶圆正面覆盖一第一塑封层,所述第一塑封层的半径小于晶圆的半径以在晶圆正面的边缘处留下未被所述第一塑封层所覆盖的一第一环形区;沿每条切割道延伸至第一环形区内的两端构成的直线对第一塑封层实施切割形成多条基准线;翻转晶圆至其背面朝上,在其背面实施研磨以减薄晶圆;在晶圆的减薄背面沉积一金属层;翻转晶圆至其减薄背面带有的金属层朝下及在金属层上粘附一层粘贴膜;沿着所述基准线对第一塑封层及晶圆和金属层实施切割,形成多个半导体器件,半导体器件包含正面带有由第一塑封层切割形成的顶部塑封层和背面带有由金属层切割形成的底部金属层的晶片;同时翻转各晶片和各底部金属层上粘附的粘贴膜,至底部金属层朝上,并在各顶部塑封层上粘附另一层粘贴膜;剥离底部金属层上所粘附的粘贴膜,并在无翻转的条件下将所述半导体器件拾取并安装至承载基板上以实现倒装安装。 |
地址 |
美国 |