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Es werden nicht planare Halbleiterbauelemente mit selbst ausgerichteten Stegen mit oberen Sperrschichten und Verfahren zum Fertigen von nicht planaren Halbleiterbauelementen mit selbst ausgerichteten Stegen mit oberen Sperrschichten beschrieben. Zum Beispiel beinhaltet eine Halbleiterstruktur einen über einem Halbleitersubstrat angeordneten Halbleitersteg mit einer oberen Oberfläche. Auf beiden Seiten des Halbleiterstegs ist eine Isolierschicht angeordnet und unter die obere Oberfläche des Halbleiterstegs vertieft, um einen vorstehenden Abschnitt des Halbleiterstegs bereitzustellen. Der vorstehende Abschnitt weist Seitenwände und die obere Oberfläche auf. Eine Gatesperrschicht weist einen ersten Abschnitt auf, der auf mindestens einem Abschnitt der oberen Oberfläche des Halbleiterstegs angeordnet ist, und weist einen zweiten Abschnitt auf, der auf mindestens einem Abschnitt der Seitenwände des Halbleiterstegs angeordnet ist. Der erste Abschnitt der Gatesperrschicht geht in den zweiten Abschnitt der Gatesperrschicht über, ist jedoch dicker als der zweite Abschnitt. Auf dem ersten und dem zweiten Abschnitt der Gatesperrschicht ist ein Gatestapel angeordnet. |
