发明名称 |
発光ダイオードディスプレイの製造方法および発光ダイオードディスプレイ |
摘要 |
【課題】高品質のマイクロ画素化発光ダイオードディスプレイを製造可能な方法を提供する。【解決手段】本方法は、A)成長基板(2)を設けるステップと;B)基板表面(20)に直接または間接的に緩衝層(4)を形成するステップと;C)緩衝層(4)上または緩衝層(4)に複数の個別の成長点(45)を形成するステップと;D)成長点(45)を起点として個別の放射活性島部(5)を形成するステップであって、島部(5)は、それぞれ、少なくとも1つの活性領域(55)を有する無機半導体積層体(50)を含み、島部の基板表面(20)の上面視における平均径が、50nm〜20μm(両端値を含む)である、ステップと、E)島部(5)を電気的に制御するために島部(5)をトランジスタ(6)に接続するステップと、を含む。【選択図】図1J |
申请公布号 |
JP2016502123(A) |
申请公布日期 |
2016.01.21 |
申请号 |
JP20150534972 |
申请日期 |
2013.09.30 |
申请人 |
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH |
发明人 |
フォン マルム ノーヴィン;マンドル マルティン;プフォイファー アレクサンダー エフ.;ゲーツ ブリッタ |
分类号 |
G09F9/00;G09F9/33;H01L33/00;H01L33/24;H01L33/32 |
主分类号 |
G09F9/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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