发明名称 集積型MRAMモジュール
摘要 集積化される磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)モジュールのためのシステムおよび方法。集積回路が、第1のチップ上のラストレベルキャッシュを集積化しないプロセッサと、第2のチップ上に集積化されるMRAMラストレベルキャッシュおよびMRAMメインメモリを備えるMRAMモジュールとを含み、ここでMRAMモジュールは、モノリシックパッケージまたは複数のパッケージとして製造される統合された構造である。第2のパッケージがメモリコントローラロジックをさらに含む。簡略化されたインターフェース構造は、第1のパッケージと第2のパッケージを結合するように構成される。MRAMモジュールは、高速、高いデータ保持、MRAMラストレベルキャッシュとMRAMメインメモリとの間の積極的なプリフェッチング、改善されたページ取扱い、および改善されたスケーラビリティのため設計される。
申请公布号 JP2016502223(A) 申请公布日期 2016.01.21
申请号 JP20150549786 申请日期 2013.12.20
申请人 クアルコム,インコーポレイテッド 发明人 シアンユ・ドン;ジュン・ピル・キム;ジュンウォン・スー
分类号 G11C11/15;G06F12/00;G06F12/08 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
地址