Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Ausbilden einer vertikalen Struktur

摘要

Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform ist ein Verfahren zum Ausbilden einer vertikalen Struktur mit mindestens zwei Sperrschichten vorgesehen. Das Verfahren umfasst die folgenden Vorgänge: Bereitstellen eines Substrats; Bereitstellen einer vertikalen Struktur über dem Substrat; Bereitstellen einer ersten Sperrschicht über einer Source, einem Kanal und einem Drain der vertikalen Struktur; und Bereitstellen einer zweiten Sperrschicht über einem Gate und dem Drain der vertikalen Struktur.