| 摘要 |
<p>Spannungsabwärtsumsetzer für eine Halbleiterspeichervorrichtung zum Umsetzen einer externen Spannung in eine interne Spannung mit niedrigerem Wert für die Vorrichtung, mit folgenden Merkmalen: einem Spannungsgenerator (10) zum Erzeugen einer Referenzspannung, die dem Wert der internen Spannung entspricht; einem Komparator (20), der Eingänge mit entgegengesetzter Polarität aufweist, zum Erzeugen eines Ausgangssteuerungssignals; einer Hochzieh-Vorrichtung (30), die mit der externen Spannung arbeitet und das Steuersignal von dem Komparator (20) empfängt, um die interne Spannung als eine Ausgabe zu erzeugen; und einem Source-Folger (40, 50) zwischen dem Referenzspannungsgenerator (10) und dem Komparator (20), wobei der Source-Folger zwei Abschnitte aufweist, die kreuzgekoppelte Eingänge aufweisen, wobei jeder der Eingänge die interne Referenzspannung bzw. die interne Spannung empfängt, und wobei die Spannungsausgaben der beiden Abschnitte sich in entgegengesetzte Richtungen bewegen und die Spannungsausgabe jedes Abschnitts als eine Eingabe an einen der beiden Eingänge des Komparators angelegt wird, wobei bei dem Spannungsabwärtsumsetzer jeder Abschnitt des Source-Folgers (40, 50) einen ersten und einen zweiten Transistor, wobei das Referenzspannungssignal an einen des ersten und des zweiten Transistors angelegt wird und die interne Spannung an den anderen des ersten und des zweiten Transistors angelegt wird, einen dritten Transistor, der mit dem ersten Transistor verbunden ist, als Stromspiegel und einen vierten Transistor, der mit dem zweiten Transistor verbunden ist, als Stromspiegel umfaßt, wobei die Ausgangsspannung des Abschnitts an der Verbindungsstelle des zweiten und des vierten Transistors erscheint, wobei jeder des ersten, zweiten, dritten und vierten Transistors ein NMOS-Transistor ist, wobei die Gate-Elektrode eines des ersten und des dritten Transistors die interne Spannung empfängt und die Gate-Elektrode des anderen des ersten und des dritten Transistors die Referenzspannung empfängt, wobei die Drain-Elektroden des ersten und dritten Transistors mit der externen Spannung verbunden sind, wobei die Source-Elektroden des ersten und des dritten Transistors mit den Drain-Elektroden des zweiten und des vierten Transistors verbunden sind, und wobei die Gate-Elektroden des zweiten und des vierten Transistors miteinander verbunden sind und die Ausgangsspannung an der Verbindung des Drains des zweiten Transistors und der Source des ersten Transistors genommen wird, wobei der Spannungsabwärtsumsetzer ferner einen fünften NMOS-Transistor aufweist, der eine Drain-Elektrode, die mit der Source-Elektrode jedes des zweiten und des vierten Transistors verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit Masse verbunden ist, und eine Gate-Elektrode aufweist, die ein Freigabesignal (EN) empfängt, um den fünften ...</p> |
